位置:RLD30N06 > RLD30N06详情

RLD30N06中文资料

厂家型号

RLD30N06

文件大小

521.409Kbytes

页面数量

5

功能描述

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

数据手册

下载地址一下载地址二

生产厂商

GWSEMI

RLD30N06数据手册规格书PDF详情

Description

The RLD30N06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) ,

low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V.

This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application.

Application

Lithium battery protection

Wireless impact

Mobile phone fast charging

更新时间:2026-2-12 9:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
LITTELFUSE/力特
2015+ROHS
DIP
72800
一级质量专业优势长期供应
WIC
23+
DIP
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
聚鼎
25+
DIP
860000
明嘉莱只做原装正品现货
聚鼎
2450+
DIP
6540
只做原厂原装现货或订货假一赔十!
聚鼎
2017+
DIP
88000
原装现货
PTTC(聚鼎)
2447
DIP
115000
500个/袋一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期
ROHS
8560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
POLYTRONICS
2022+
2140
全新原装 货期两周