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RLD13N06中文资料

厂家型号

RLD13N06

文件大小

239.92Kbytes

页面数量

5

功能描述

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

数据手册

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生产厂商

GWSEMI

RLD13N06数据手册规格书PDF详情

Description

The RLD13N06 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) ,

low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V.

This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application.

Application

Brushless motor

Load switch

Uninterruptible power supply

更新时间:2026-2-17 11:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PTTC(聚鼎
23+
DIP
11200
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聚鼎
25+
DIP
860000
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聚鼎
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聚鼎
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