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2N7000R中文资料

厂家型号

2N7000R

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572.01Kbytes

页面数量

3

功能描述

Plastic-Encapsulate MOSFET

MOSFET 60V 200mA N-Channel

数据手册

下载地址一下载地址二

生产厂商

GWSEMI

2N7000R数据手册规格书PDF详情

FEATURE

High density cell design for low RDS(ON)

Voltage controlled small signal switch

Rugged and reliable

High saturation current capability

2N7000R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2N7000R

  • 功能描述

    MOSFET 60V 200mA N-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-3 10:19:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
16+/17+
TO-92
7103
渠道现货库存-原装正品
ON
23+
TO-92
56000
ONS
24+
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2N7000RLRAG 价格

参考价格:¥0.4887

型号:2N7000RLRAG 品牌:On Semiconductor 备注:这里有2N7000R多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2N7000R批发/采购报价,2N7000R行情走势销售排排榜,2N7000R报价。