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G06N06S中文资料

厂家型号

G06N06S

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1288.35Kbytes

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6

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

GOFORD

G06N06S数据手册规格书PDF详情

Description

The G06N06S uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide

variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

更新时间:2025-11-1 17:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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