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RFM10P12中文资料

厂家型号

RFM10P12

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功能描述

P-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 120V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AA

数据手册

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生产厂商

GESS

RFM10P12数据手册规格书PDF详情

P-Channel Enhancement - Mode Power Field-Effect Transistors

Features:

■ SOA is power-dissipation limited

■ Nanoseconde switching speeds

■ Linear transfer characteristics

■ High input impedance

■ Majority carrier device

RFM10P12产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RFM10P12

  • 功能描述

    TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 120V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-204AA

更新时间:2025-10-17 16:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
N/A
2700
HARRIS
25+
N/A
174
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
HARRIS
16+
NA
8800
原装现货,货真价优
ISC/固电
23+
TO-3
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
HAR
2023+
3000
进口原装现货
HARRIS
94+
174
优势货源原装正品
HARRIS
24+
6000
原装现货,特价销售
HAR
23+
NA
20000
全新原装假一赔十
HOPERF
24+
SMD
20000
一级代理原装现货假一罚十
HOPERF
20+
原装
26000
原装优势主营型号-可开原型号增税票