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RFM10N12中文资料

厂家型号

RFM10N12

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功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

数据手册

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生产厂商

GESS

RFM10N12数据手册规格书PDF详情

N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors

Features

■ SOA is power-dissipation limited

■ Nanosecond switching speeds

■ Linear transfer characteristics

■ High input impedance

■ Majority carrier device

RFM10N12产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RFM10N12

  • 制造商

    GESS

  • 制造商全称

    GESS

  • 功能描述

    N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

更新时间:2026-2-12 10:21:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
N/A
3310
HARRIS
1999
TO-3
1965
原装现货海量库存欢迎咨询
NA
NA
1009
专营CANCDIP
INTERSIL
专业铁帽
TO-3
67500
铁帽原装主营-可开原型号增税票
HARRIS
25+
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ISC/固电
23+
TO-3
11200
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TO.252-2.5
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3000
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860000
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HARRIS
25+
N/A
174
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可