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POWER-MOSFET FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR
This series of N-Channel Enhancement-mode Power MOSFET utilizes GEs advanced Power DMOS technology to achieve low on-resistance with excellent device ruggedness and reliability.
This design has been optimized to give superior performance in most switching applications including: switching power supplies, inverters, converters and solenoid/relay drivers. Also, the extended safe operating area with good linear transfer characteristics makes it well suited for many linear applications such as audio amplifiers and servo motors.
IRFD113产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFD113
- 功能描述
MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GESS |
23+ |
NA |
39960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
Vishay Siliconix |
24+ |
4-HVMDIP |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
VISHAY(威世) |
24+ |
HVMDIP-4 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
IR |
24+ |
DIP-4 |
8500 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
IR |
06+ |
原厂原装 |
4483 |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
IR |
23+ |
DIP-4 |
8238 |
||||
MOTOROLA |
24+/25+ |
74 |
原装正品现货库存价优 |
||||
IOR |
24+ |
DIP-4 |
100 |
||||
IR |
23+ |
DIP-4 |
1350 |
全新原装现货 |
|||
雷达 |
2020+ |
DIP-4 |
8400 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
IRFD113 价格
参考价格：￥6.8035
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- CD74HC573
- CD74HCT373M
- CD74HCT573
- CSNF121
- CSNF611
- CSNK221
- CSNL221
- CV01C300
- CV05D2001
- FS8856-15PD
- FS8856-17PD
- FS8856-19PD
- FS8856-21PD
- FS8856-25PD
- FS8856-42CD
- GM6250-1.8T92RL
- GM6250-2.7ST89R
- GS881E18AT-250I
- HM51W16400S-5
- HM51W16400TS-5
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GESS相关电路图
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GE Solid State
中文资料: 151条
GE Solid State的产品应用于各种领域，包括能源控制系统、航空航天、通信、医疗、交通、工业自动化等。 GE Solid State致力于为客户提供高性能、可靠和先进的固态驱动器解决方案，帮助他们提高生产效率、节能减排、提高系统可靠性等。该公司的产品范围涵盖了各种功率半导体器件、IGBT模块、晶闸管等，以及相应的电源管理和控制系统。 通过GE Solid State的技术和产品，客户可以实现更加智能化、高效化和可靠的电力系统和控制方案。该公司注重技术创新和研发投入，致力于为客户提供定制化的解决方案，满足不同行业和应用的需求。
