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GVT71512C18T-4.4

256K x 36/512K x 18 Pipelined SRAM

Functional Description The Cypress Synchronous Burst SRAM family employs high-speed, low power CMOS designs using advanced triple-layer polysilicon, double-layer metal technology. Each memory cell consists of four transistors and two high valued resistors. Features • Fast access times: 2.5 ns

CypressCypress Semiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

GVT71512C18T-4.4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GVT71512C18T-4.4

  • 功能描述

    x18 Synchronous SRAM

更新时间:2025-11-5 20:00:00
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