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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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GTVA261802FC-V1-R0 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 48 V, 2620 – 2690 MHz Description The GTVA261802FC is a 170-watt GaN on SiC high electron mobility transistor (HEMT) for use in multi-standard cellular power amplifier applications. It features input matching, high efficiency, and a thermally-enhanced package with earless flange. Features • GaN on SiC HEMT techn | WOLFSPEED |   | |
GTVA261802FC-V1-R0 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 48 V, 2620 ??2690 MHz 文件：495.3 Kbytes Page：8 Pages | Cree 科锐 | | |
GTVA261802FC-V1-R0 | 封装/外壳：H-37248C-4 包装：带 描述：180W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | WOLFSPEED | |
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GT8E-8S-HU
原装正品现货
2022-4-22GUVA-C22SD
韩国GENICOM 紫外线传感器
2021-5-25GUVA-T11GC-ILA5
GUVA-T11GC-ILA5原装太阳光紫外线传感器探头探测器韩国GenUV原厂
2021-2-23GUVA-T11GC-ILA2
GUVA-T11GC-ILA2原装太阳光紫外线传感器探测器探头韩国GenUV原厂
2021-2-19GT50GR22
GT50GR22 ，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-8-1GTL2014PW全新NXP/恩智浦现货
原厂很远 现货很近 坚持每一片芯片都来自原厂及授权渠道
2020-5-14
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