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GTVA107001FC-V1-R0

HighPowerRFGaNonSiCHEMT700W,50V,DC-1.4GHz

Description TheGTVA107001ECandGTVA107001FCare700-wattGaNonSiChighelectronmobilitytransistors(HEMT)foruseintheDC-1.4GHzfrequecyband. Features •GaNonSiCHEMTtechnology •Inputmatched •TypicalpulsedCWperformance(classAB),1030MHz, 50V,128µspulsewidth,10

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GTVA107001FC-V1-R0

Thermally-EnhancedHighPowerRFGaNonSiCHEMT700W,50V,960??1215MHz

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CreeCree Inc.

科锐科锐半导体制造商

Cree
GTVA107001FC-V1-R0

封装/外壳:H-37248-2 包装:散装 描述:700W GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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更新时间:2024-6-19 11:36:00
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