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GTVA107001EC-V1-R2

HighPowerRFGaNonSiCHEMT700W,50V,DC-1.4GHz

Description TheGTVA107001ECandGTVA107001FCare700-wattGaNonSiChighelectronmobilitytransistors(HEMT)foruseintheDC-1.4GHzfrequecyband. Features •GaNonSiCHEMTtechnology •Inputmatched •TypicalpulsedCWperformance(classAB),1030MHz, 50V,128µspulsewidth,10

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WOLFSPEED, INC.

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GTVA107001EC-V1-R2

Thermally-EnhancedHighPowerRFGaNonSiCHEMT700W,50V,960??1215MHz

文件:253.63 Kbytes Page:8 Pages

CreeCree Inc.

科锐科锐半导体制造商

Cree

封装/外壳:SOT-957A 包装:卷带(TR) 描述:700W, GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ, 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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更新时间:2024-6-23 11:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
23+
N/A
67000
一级代理放心采购
CREE
22+
SMD
518000
明嘉莱只做原装正品现货
INFINEON/英飞凌
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
Infineon Technologies
22+
9000
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Wolfspeed
22+
Tube
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只做原装进口货
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H-37265J-2
22+
600
只做原装,假一罚十价格低。
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15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83271743邹小姐
INFINEON/英飞凌
23+
244
现货供应
INFINEON-英飞凌
24+25+/26+27+
TO-59.高频管
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