型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
GT8Q101

N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC(

TOSHIBA

东芝

GT8Q101

Discrete IGBTs

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TOSHIBA

东芝

GT8Q101

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS

TOSHIBA

东芝

GT8Q101产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT8Q101

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

更新时间:2025-11-18 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
15638
原装现货,当天可交货,原型号开票
GT
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10000
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TOSHIBA
25+
管3P
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TOSHIBA
23+
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