型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
GT8G133(TE12L,Q)

封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 包装:管件 描述:IGBT 400V 600MW 8TSSOP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ETC

知名厂家

Strobe Flash Applications

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TOSHIBA

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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东芝

GT8G133(TE12L,Q)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT8G133(TE12L,Q)

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 IGBT, 400V, 150A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-19 15:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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