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GT80J101

N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC(

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东芝

GT80J101

Discrete IGBTs

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TOSHIBA

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GT80J101

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N .CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

TOSHIBA

东芝

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

High Power Switching Applications · Enhancement mode type · High speed: tf = 0.40 µs (max) (IC =80 A) · Low saturation voltage: VCE (sat)= 2.9V (max) (IC =80 A)

TOSHIBA

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Discrete IGBTs

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TOSHIBA

东芝

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

TOSHIBA

东芝

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

TOSHIBA

东芝

GT80J101产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT80J101

  • 制造商

    Toshiba

  • 功能描述

    _

更新时间:2026-3-1 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
2016+
TO3PL
3000
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票!
TOS
24+
TO-3
2
TOSHIBA
1932+
TO-3PL
328
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
TOSHIBA/东芝
2540+
TO-3P
8595
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
TOSHIBA
23+
TO-3PL
5000
原装正品,假一罚十
TOSHIBA
23+
TO-3PL
22680
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
TOSHIBA
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
TOSHIBA/东芝
22+
TO-3P(LH)
6000
十年配单,只做原装
INFINEON
100
原装现货,价格优惠
TOSHIBA/东芝
23+
TO-3PL
50000
全新原装正品现货,支持订货

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