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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC( | TOSHIBA 东芝 |   | ||
Discrete IGBTs 文件：835.68 Kbytes Page：16 Pages | TOSHIBA 东芝 | |
更新时间：2025-12-23 10:46:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TOSHIBA |
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2020-8-1GTL2014PW全新NXP/恩智浦现货
原厂很远 现货很近 坚持每一片芯片都来自原厂及授权渠道
2020-5-14
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