| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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GT60M302 | N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS) Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC( | TOSHIBA 东芝 |   | |
GT60M302 | Discrete IGBTs 文件：835.68 Kbytes Page：16 Pages | TOSHIBA 东芝 | | |
GT60M302 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS | TOSHIBA 东芝 | |
更新时间：2025-12-23 10:56:00
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GT50GR22 ，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-8-1GTL2014PW全新NXP/恩智浦现货
原厂很远 现货很近 坚持每一片芯片都来自原厂及授权渠道
2020-5-14
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