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GT5G103

N CHANNEL MOS TYPE (STROBE FLASH APPLICATIONS)

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC(

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GT5G103

STROBE FLASH APPLICATIONS

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GT5G103

Discrete IGBTs

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GT5G103

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS

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STROBE FLASH APPLICATIONS

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GT5G103产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT5G103

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    TRANS IGBT CHIP N-CH 400V 5A 3PIN DP - Bulk

更新时间:2025-9-28 18:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSH
05+
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全新原装进口自己库存优势
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明嘉莱只做原装正品现货
TOS
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TO-252
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SOT-252
8000
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TOSHIBA
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