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TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

High Power Switching Applications Fast Switching Applications • Fourth generation IGBT • Enhancement mode type • Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference) • High speed: tf = 0.05 μs (typ.) • Low switching loss: Eon = 1.30 mJ (typ.)

TOSHIBA

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

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TOSHIBA

东芝

GT50J325Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT50J325Q

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin TO-3P(LH)

  • 制造商

    Toshiba

  • 功能描述

    Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin TO-3P(LH)

更新时间:2025-11-21 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
24+
NA/
3420
原装现货,当天可交货,原型号开票
TOSHIBA
24+/25+
225
原装正品现货库存价优
TOSHIBA
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24+
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8540
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管3PL
18000
原厂直接发货进口原装
TOSHIBA
24+
TO-3PL
5000
全新原装正品,现货销售
TOSHIBA
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
TOSHIBA
23+
TO3P
18000
原装正品,假一罚十

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