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GT50G321

TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT

The 4th Generation Current Resonance Inverter Switching Applications • FRD included between emitter and collector • Enhancement-mode • High speed: tf = 0.30 µs (typ.) (IC = 60 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.8 V (typ.) (IC = 60 A)

TOSHIBA

东芝

GT50G321

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

TOSHIBA

东芝

GT50G321产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT50G321

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT

更新时间:2025-12-31 9:49:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
23+
TO-3PL
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TOSHIBA/东芝
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全新原装 绝对有货
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24+/25+
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银茂微
23+
MODULE
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TOSHIBA/东芝
24+
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60000
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TOSHIBA/东芝
07+
ZIP
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只做原厂原装,认准宝芯创配单专家

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    GT24C1024-2GLI,全新原装.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三,V:八七六八零五五八.

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