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GT50G321

TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT

The 4th Generation Current Resonance Inverter Switching Applications • FRD included between emitter and collector • Enhancement-mode • High speed: tf = 0.30 µs (typ.) (IC = 60 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.8 V (typ.) (IC = 60 A)

TOSHIBA

东芝

GT50G321

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

TOSHIBA

东芝

GT50G321产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT50G321

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT

更新时间:2025-10-13 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
24+
NA/
4761
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
TOSHIBA
25+
管3PL
18000
原厂直接发货进口原装
TOSHIBA
05+
TO-3PL
10000
全新原装 绝对有货
TOSHIBA
24+/25+
5290
原装正品现货库存价优
银茂微
23+
MODULE
4500
专营国产功率器件
TOSHIBA/东芝
07+
ZIP
9975
只做原厂原装,认准宝芯创配单专家
TOSHIBA
25+
TO-3P
5000
原厂原装,价格优势
TOSHIBA
25+23+
TO3PL
47601
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
TOS
24+
TO-3PL-3
8866
TOSHIBA
23+
TO-3PL
5000
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