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GT40T302

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

Parallel Resonance Inverter Switching Applications • FRD included between emitter and collector • Enhancement mode • High speed IGBT: tf= 0.23 μs (typ.) (IC= 40 A) FRD: trr= 0.7 μs (typ.) (di/dt = −20 A/μs) • Low saturation voltage: VCE (sat)= 3.7 V (typ.) (IC=

TOSHIBA

东芝

GT40T302

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

GT40T302产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT40T302

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

更新时间:2025-8-18 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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