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Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

Parallel Resonance Inverter Switching Applications ​​​​​​​ • FRD included between emitter and collector • Enhancement mode type • High speed IGBT : tf = 0.25 μs (typ.) (IC = 40 A) FRD : trr = 0.7 μs (typ.) (di/dt = −20 A/μs) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 3.7 V (

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Silicon N Channel IGBT Parallel Resonance Inverter Switching Applications

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Discrete IGBTs

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东芝

更新时间:2025-8-11 16:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOS
24+
TO-3PL-3
8866
TOSHIBA
18+
TO-3P
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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  • GT24C1024-2GLI

    GT24C1024-2GLI,全新原装.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三,V:八七六八零五五八.

    2021-11-27
  • GT50GR22

    GT50GR22 ,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-8-1
  • GTL2014PW全新NXP/恩智浦现货

    原厂很远 现货很近 坚持每一片芯片都来自原厂及授权渠道

    2020-5-14
  • GST5009MLF

    GST5009MLF ,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-11-25