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DiscreteIGBTsSiliconN-ChannelIGBT

1.Applications •MotorDrivers 2.Features (1)Sixthgeneration (2)Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.5V(typ.)(IC=30A) (3)Highjunctiontemperature:Tj=175ㄹ°C(max) (4)FRDincludedbetweenemitterandcollector

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-6-3 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA(东芝)
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