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InsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT

HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications •Fourth-generationIGBT •Enhancementmodetype •Fastswitching(FS):Operatingfrequencyupto50kHz(reference) Highspeed:tf=0.05μs(typ.) Lowswitchingloss:Eon=1.00mJ(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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更新时间:2024-6-25 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
23+
NA/
3284
原装现货,当天可交货,原型号开票
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