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N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC(

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Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

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更新时间:2025-10-18 22:59:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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24+
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4400
原装现货,当天可交货,原型号开票
TOSHIBA/东芝
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GIANTEC/聚辰
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SPI/D-SPI/Q-SPI
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TO-3PL
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    原厂很远 现货很近 坚持每一片芯片都来自原厂及授权渠道

    2020-5-14
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    GST5009MLF ,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-11-25