| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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GT25J101 | N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC( | TOSHIBA 东芝 |   | |
GT25J101 | Discrete IGBTs 文件：835.68 Kbytes Page：16 Pages | TOSHIBA 东芝 | | |
GT25J101 | Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications | TOSHIBA 东芝 | |
更新时间：2026-3-2 9:30:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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GST5009MLF ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-25
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