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TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

High Power Switching Applications • Third-generation IGBT • Enhancement mode type • High speed: tf = 0.30 μs (max) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.7 V (max)

TOSHIBA

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

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TOSHIBA

东芝

GT20J101(Q)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT20J101(Q)

  • 制造商

    Toshiba

  • 功能描述

    Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

  • 制造商

    Toshiba

  • 功能描述

    Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bulk

更新时间:2025-8-12 23:01:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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保证进口原装可开17%增值税发票

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