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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
GT20J101

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

HighPowerSwitchingApplications •Third-generationIGBT •Enhancementmodetype •Highspeed:tf=0.30μs(max) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.7V(max)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
GT20J101

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
GT20J301

N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 *GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A *GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
GT20J301

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
GT20J311

N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 *GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A *GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
GT20J321

High Power Switching Applications Fast Switching Applications

HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications •Fourth-generationIGBT •Enhancementmodetype •Fastswitching(FS):Operatingfrequencyupto50kHz(reference) Highspeed:tf=0.04μs(typ.) Lowswitchingloss:Eon=0.40mJ(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
GT20J321

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
GT20J341

Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT

Features (1)Sixthgeneration (2)Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.5V(typ.)(IC=20A) (3)FRDincludedbetweenemitterandcollector Applications •MotorDrivers

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
GT20J101

Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

文件：191.19 Kbytes Page：6 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
GT20J101_06

Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

文件：191.19 Kbytes Page：6 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
GT20J121

Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT

文件：195.47 Kbytes Page：7 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
GT20J301

SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

文件：491.29 Kbytes Page：7 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
GT20J301_06

SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

文件：491.29 Kbytes Page：7 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
GT20J311

Discrete IGBTs

文件：835.68 Kbytes Page：16 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
GT20J321

Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

文件：197.12 Kbytes Page：7 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
GT20J321_06

Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

文件：197.12 Kbytes Page：7 Pages

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
GT20J341,S4X(S

封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：管件 描述：DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ETC

知名厂家

GT20J产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT20J

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 20A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    IGBT 600V TO-3P(N)

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更新时间：2025-6-16 11:11:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
GT20J101
TOSHIBA/东芝
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NA/
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GT20J121,S4X
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TOSHIBA/东芝
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TO-220
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GT20J101
TOSHIBA
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TOS
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GT20J121,S4XMOS(场效应管)
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GT20J101
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原装现货假一赔十
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  • GT24C1024-2GLI

    GT24C1024-2GLI，全新原装.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.

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    GT50GR22，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

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    GST5009MLF，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    GSP-812，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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