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型号：GT20 品牌：VIBTEC 备注：这里有GT20多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，GT20批发/采购报价，GT20行情走势销售排行榜，GT20报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
GT20	PNEUMATIC TURBINE VIBRATIORS [VIBTEC]	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
GT20	温补晶振TCXO GT20系列是金科泰通信推出\n\n高频、宽温、低相噪的TCXO系列产品。该系列产品频率可定制化。 • 高频 100.00MHz • 宽温 -55~105℃ ;	GENCOTECH	GENCOTECH
GT20D101	N CHANNEL TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION) Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC(	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT20D201	P CHANNEL TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC(	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT20G101	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) STROBE FLASH APPLICATIONS ● High Input Impedance ● Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 8V (Max.) (IC = 130A) ● Enhancement−Mode ● 20V Gate Drive	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT20G101SM	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) STROBE FLASH APPLICATIONS ● High Input Impedance ● Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 8V (Max.) (IC = 130A) ● Enhancement−Mode ● 20V Gate Drive	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT20G102	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) STROBE FLASH APPLICATIONS ● High Input Impedance ● Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 8.0V (Max.) (IC = 130A) ● Enhancement−Mode ● 12V Gate Drive	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT20G102SM	N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS) STROBE FLASH APPLICATIONS ● High Input Impedance ● Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 8V (Max.) (IC = 130A) ● Enhancement−Mode ● 12V Gate Drive	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT20J101	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications • Third-generation IGBT • Enhancement mode type • High speed: tf = 0.30 μs (max) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.7 V (max)	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT20J101	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT20J301	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT20J301	N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC(	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT20J311	N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC(	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT20J321	High Power Switching Applications Fast Switching Applications High Power Switching Applications Fast Switching Applications • Fourth-generation IGBT • Enhancement mode type • Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference) High speed: tf = 0.04 μs (typ.) Low switching loss : Eon = 0.40 mJ (typ.)	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT20J321	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT20J341	Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT Features (1) Sixth generation (2) Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.5 V (typ.) (IC = 20 A) (3) FRD included between emitter and collector Applications • Motor Drivers	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
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GT20产品属性

类型
描述
Part Number：
GT2005
Package：
TSV
Resolution：
1600 x 1200
Optical Format：
1/5
Pixel Size：
1.75
Output Format：
YUV/RGB/RAW Bayer
Package Size：
2431 x 1990 μm
Chroma：
color
Interface：
DVP
Power Consumption：
TBD

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更新时间：2026-5-22 16:10:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市壹芯创科技有限公司	GT20J321	TOSHIBA/东芝	24+		30000	公司只做原装正品!现货库存!假一罚十!	询价
深圳市金华微盛电子有限公司	GT2012GA601	CHINAXYJ	2019+	SMD	20000	原厂渠道,提供技术支持	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	GT20L16P1Y	上海集通	24+	SOP23-6	8700	绝对原装现货,价格低,欢迎询购!	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	GT20L16S1Y	GENITOP/高通	25+	SOT23-6	32360	GENITOP/高通全新特价GT20L16S1Y即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	GT20L16S1Y	GENITOP	23+	SOT23-6	6800	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!	询价
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深圳市能创芯电子科技有限公司	GT20L16P1Y	GENITOP高通	23+	SOT23-6	5349	进口原装现货	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	GT20J101功率三极管	TOSHIBA/东芝	17+	TO-3P(N)	31518	原装正品可含税交易	询价
深圳市创新迹电子有限公司	GT20J121,S4XMOS(场效应管)	TOSHIBA/东芝	2021+	TO-220F	9000	原装现货,随时欢迎询价	询价

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GT24C1024-2GLI
GT24C1024-2GLI，全新原装.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.
2021-11-27
GT50GR22
GT50GR22 ，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
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GST5009MLF
GST5009MLF ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-25
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GSP-812，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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