型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
GT15J101

N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC(

TOSHIBA

东芝

GT15J101

Discrete IGBTs

文件:835.68 Kbytes Page:16 Pages

TOSHIBA

东芝

GT15J101

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications

TOSHIBA

东芝

SMD Transient Voltage Suppressor

文件:119.62 Kbytes Page:5 Pages

COMCHIP

典琦

GT15J101产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT15J101

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

更新时间:2026-1-1 9:48:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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