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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
High Power Switching Applications Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC( | TOSHIBA 东芝 |   | ||
Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBA 东芝 | | ||
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications 文件：179.14 Kbytes Page：6 Pages | TOSHIBA 东芝 | |
GT10Q101(Q)产品属性
- 类型
描述
- 型号
GT10Q101(Q)
- 功能描述
IGBT 晶体管 1200V/10A DIS
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
9608 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
HIROSE/广濑 |
2508+ |
/ |
275591 |
一级代理，原装现货 |
|||
TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
TOSHIBA |
23+ |
TO-3P |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
TOSHIBA |
25+ |
管3P |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
|||
TOS |
20+ |
TO-3P(N) |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
TOS |
23+ |
65480 |
|||||
TOSHIBA |
13+ |
TO-247 |
110 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
2022+ |
TO-3P |
22891 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN3*3-8L |
986966 |
国产 |
GT10Q101(Q)规格书下载地址
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2019-3-21
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