位置:首页 > IC中文资料第2308页 > GT10Q101(Q)
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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HighPowerSwitchingApplications DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 *GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A *GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC( | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | |||
BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | |||
SiliconNChannelIGBTHighPowerSwitchingApplications 文件:179.14 Kbytes Page:6 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 |
GT10Q101(Q)产品属性
- 类型
描述
- 型号
GT10Q101(Q)
- 功能描述
IGBT 晶体管 1200V/10A DIS
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
9608 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
TOSHIBA |
13+ |
TO-247 |
110 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
日本东芝TOS |
1822+ |
TO3P |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
TOSHIBA |
24+/25+ |
442 |
原装正品现货库存价优 |
||||
TOS |
20+ |
TO-3P(N) |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
TOSHIBA(东芝) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
TOSHIBA |
23+ |
TO-247 |
3000 |
全新原装 |
|||
HIROSE/广濑 |
2508+ |
/ |
275591 |
一级代理,原装现货 |
|||
Greenlee |
新 |
5 |
全新原装 货期两周 |
||||
TOSHIBA |
23+ |
TO-3P |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
GT10Q101(Q)规格书下载地址
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2019-3-21
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