位置：首页 > IC中文资料第1939页 > GT10J312(Q)
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
GT10J312(Q) | 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IGBT 600V 10A 60W TO220SM 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ETC 知名厂家 | ETC |   |
Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBA 东芝 | | ||
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS ● Third-generation IGBT ● Enhancement mode type ● High speed : tf = 0.30μs (Max.) ● Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.7V (Max.) ● FRD included between emitter and collector | TOSHIBA 东芝 | | ||
SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS 文件：509.24 Kbytes Page：7 Pages | TOSHIBA 东芝 | |
GT10J312(Q)产品属性
- 类型
描述
- 型号
GT10J312(Q)
- 功能描述
IGBT 晶体管 IGBT, 600V, 10A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
TOSHIBA(东芝) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
GOFORD |
24+ |
con |
10 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
|||
Toshiba Semiconductor and Stor |
22+ |
TO220SM |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
23+ |
TO220 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
||||
TOSHIBA |
TO220F |
9500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
24+ |
N/A |
65000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
TOSHIBA/东芝 |
20+ |
TO-220NIS |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
银茂微 |
23+ |
MODULE |
4500 |
专营国产功率器件 |
|||
24+ |
TO220 |
9860 |
原装现货/放心购买 |
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2019-3-21
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