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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
GT10J312(Q) | 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IGBT 600V 10A 60W TO220SM 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ETC 知名厂家 | ETC |   |
BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 |  | | |
NCHANNELIGBT(HIGHPOWERSWITCHING,MOTORCONTROLAPPLICATIONS) HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS MOTORCONTROLAPPLICATIONS ●Third-generationIGBT ●Enhancementmodetype ●Highspeed:tf=0.30μs(Max.) ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.7V(Max.) ●FRDincludedbetweenemitterandcollector | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | | | |
SILICONNCHANNELIGBTHIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS 文件：509.24 Kbytes Page：7 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | | |
GT10J312(Q)产品属性
- 类型
描述
- 型号
GT10J312(Q)
- 功能描述
IGBT 晶体管 IGBT, 600V, 10A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
988 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
银茂微 |
23+ |
MODULE |
4500 |
专营国产功率器件 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
21+ |
TO220F |
1709 |
||||
TOSHIBA/东芝 |
20+ |
TO-220NIS |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
TO220 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
TOSHIBA |
TO220F |
9500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
TOSHIBA |
25+23+ |
TO220 |
9806 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
21+ |
TO-263 |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
TOS |
23+ |
TO-263 |
9500 |
专业优势供应 |
|||
TOS |
24+ |
TO-220 |
1200 |
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2019-3-21
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