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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NCHANNELIGBT(HIGHPOWERSWITCHING,MOTORCONTROLAPPLICATIONS) HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS MOTORCONTROLAPPLICATIONS Third-generationIGBT Enhancementmodetype Highspeed:tf=0.30μs(Max.)(IC=10A) Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.7V(Max.)(IC=10A) FRDincludedbetweenemitterandcollector | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 |  |   | |
BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | | | |
SILICONNCHANNELIGBTHIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS 文件：473.68 Kbytes Page：7 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | | | |
NCHANNELIGBT(HIGHPOWERSWITCHING,MOTORCONTROLAPPLICATIONS) HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS MOTORCONTROLAPPLICATIONS Third-generationIGBT Enhancementmodetype Highspeed:tf=0.30μs(Max.)(IC=10A) Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.7V(Max.)(IC=10A) FRDincludedbetweenemitterandcollector | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | | |
GT10J303(Q)产品属性
- 类型
描述
- 型号
GT10J303(Q)
- 功能描述
IGBT 晶体管 IGBT, 600V, 10A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO-220NIS |
60000 |
||||
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
TO220F |
28657 |
原装正品现货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
TO-220NIS |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO-263 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
23+ |
TO-220 |
8000 |
只做原装现货 |
||||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
日本东芝TOS |
1822+ |
TO220 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
TOSHIBA |
25+23+ |
TO220 |
9806 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
TOS |
24+ |
TO-220 |
1200 |
||||
TOSHIBA(东芝) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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