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High Q, high self-resonant frequency

Special Features • High Q, high self-resonant frequency • High voltage application • Single layer or 3-pi universal wound • Low cost • Varnish coated • Operating temperature: phenolic -55 to +125°C iron & ferrite -55 to +105°C • Current to cause 35°C maximum temperature rise

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4606 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel VDS = 30V,ID =6.9A RDS(ON)

TUOFENG

拓锋半导体

Complementary High Density Trench MOSFET

文件:317.57 Kbytes Page:7 Pages

TUOFENG

拓锋半导体

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.22669 Mbytes Page:14 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Binary reduction valve

文件:99.4 Kbytes Page:1 Pages

FESTOFesto Corporation.

费斯托费斯托(中国)有限公司

更新时间:2025-10-19 15:16:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    2025-6-11
  • GS61004B-MR

    优势渠道

    2023-7-12
  • GS2988-INE3

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    2023-5-31
  • GS3470-IBE3

    GS3470-IBE3

    2022-12-6
  • GS4911BCNE3

    4 Output Clock Generators 时钟发生器及支持产品 , Programmable Clock Generators 时钟发生器及支持产品 , 2 Output 100 MHz 时钟发生器及支持产品 , 4 Output QFN-24 时钟发生器及支持产品 , 25 MHz 时钟发生器及支持产品 , 400 MHz 时钟发生器及支持产品

    2020-9-8
  • GS6332-3引脚,低功率,P复位电路

    •GS6333和GS6332系统监控电路旨在监视VCC和数字系统中提供一个复位信号到主机的处理器在必要时。无外部元件。 •当处理器的电源电压下降到低于复位阈值,复位输出驱动为有效,小于40μs(TD1)。为复位保持活跃一段时间(TD2),高于该阈值后的VCC上升电压。 •为了防止抖动,复位阈值电压有一个内置的滞后的Vth为0.4%。 •GS6333具有低电平有效的复位输出,而GS6332具有高有效的复位输出。这两款器件有推/拉输出驱动。 •复位信号是保证有效,VCC =1.0V。

    2012-11-21