型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description • Trench Power MOSFET technology • Ultra low RSS(ON) • With ESD protection to improve battery performance and safety • Common drain configuration for design simplicity • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications Battery protection switch Mobile device battery charging | AOSMD 万国半导体 | |||
BBS (bass boost system) for radio cassette players The BA3870 is a bass boost audio IC for radio cassette players. BBS adjusts the base boost to a level appropriate for the volume, achieving a rich sound without distortion. Frequency characteristics can be set externally, enabling system design to meet the needs of the application. Features | ROHM 罗姆 | |||
Locking Releasable Wire Clips 文件:107.18 Kbytes Page:1 Pages | Heyco | |||
12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET 文件:438.21 Kbytes Page:5 Pages | AOSMD 万国半导体 | |||
12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET 文件:413.16 Kbytes Page:5 Pages | AOSMD 万国半导体 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-9-8GS6332-3引脚,低功率,P复位电路
•GS6333和GS6332系统监控电路旨在监视VCC和数字系统中提供一个复位信号到主机的处理器在必要时。无外部元件。 •当处理器的电源电压下降到低于复位阈值,复位输出驱动为有效,小于40μs(TD1)。为复位保持活跃一段时间(TD2),高于该阈值后的VCC上升电压。 •为了防止抖动,复位阈值电压有一个内置的滞后的Vth为0.4%。 •GS6333具有低电平有效的复位输出,而GS6332具有高有效的复位输出。这两款器件有推/拉输出驱动。 •复位信号是保证有效,VCC =1.0V。
2012-11-21
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