| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low | IRF |   | ||
TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件：108.48 Kbytes Page：1 Pages | AOSMD 万国半导体 | | ||
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：310.77 Kbytes Page：15 Pages | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：310.77 Kbytes Page：15 Pages | IRF | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
15+ |
TO-220 |
4000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-220 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
|||
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
25+ |
SMD |
918000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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INFINEON/英飞凌 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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IR |
23+ |
TO-22 |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
||||
IR |
24+ |
TO-220-3 |
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IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
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Infineon |
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NA |
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进口原装正品优势供应 |
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2020-9-8GS1M
GS1M,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-7-24
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