| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Maximum Junction Temperature rated at 175°C. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low | IRF |   | ||
TO247 PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件：108.48 Kbytes Page：1 Pages | AOSMD 万国半导体 | | ||
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：310.77 Kbytes Page：15 Pages | IRF | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2020-9-8GS1M
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2020-7-24
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