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HIGHSPEEDEPITAXIALCOLLECTORSILICONNPNPLANARTRANSISTORS

High-SpeedEpitaxial-CollectorSiliconN-P-NPlanarTransistors ForHigh-SpeedSwitchingandLinear-AmplifierApplications

GESSGE Solid State

GE Solid State

GESS

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/526

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi

SiliconNPNPowerTransistors

SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-66package ·Wideareaofsafeoperation ·Highsustainingvoltage APPLICATIONS ·Forhigh-speedswitchingandlinear-amplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

SiliconNPNPowerTransistors

SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION WithTO-66package ·Wideareaofsafeoperation ·Highsustainingvoltage APPLICATIONS ·Forhigh-speedswitchingandlinear-amplifierapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

SAVANTIC

NPNPOWERSILICONTRANSISTOR

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SEME-LAB

Seme LAB

SEME-LAB
更新时间:2024-6-1 10:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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MICROSEMI
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TO-66
16800
芯为只有原装,公司现货

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    2021-8-17
  • GRM32ER71H106MA12L

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    2021-8-17
  • GS1002FL

    GS1002FL,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-10-7
  • GRPB032VWVN-RC

    深圳科雨电子有限公司,联系人:卢小姐手机:18975515225 原装正品大量现货,有需要的可以联系我QQ:97877805微信:wei555222777

    2019-8-12
  • GS1085-3A低压差正可调稳压器

    说明而GS1085是一种低压差三端稳压3A的输出电流能力。输出电压为同一个电阻分压器调节。对于固定输出电压版本,输出电压内部设定为1.8V,2.5V或3.3V。差保证在最大在最大输出电流1.4V。其低压差和快速瞬态响应使其理想用于低压微处理器的应用。内部电流和热限制过载条件下提供了对任何保护这样就会产生过多的结温。特点•差在3A输出电流电压1.3V•快速瞬态响应•线路调整一般在0.015%•负载调整率通常在0.1%•内

    2013-1-29
  • GS1084-5A低压差正可调稳压器

    说明而GS1084是一种低压差三端稳压5A的输出电流能力。输出电压为同一个电阻分压器调节。对于固定输出电压版本,输出电压内部设定为1.8V,2.5V或3.3V。差保证在最大在最大输出电流1.4V。其低压差和快速瞬态响应使其理想用于低压微处理器的应用。内部电流和热限制过载条件下提供了对任何保护这样就会产生过多的结温。应用•用于开关电源后置稳压器•微处理器电源•恒流稳压器•主板I/O电源特点•

    2013-1-29