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GQM2195C2E8R2BB12J

封装/外壳:0805(2012 公制) 包装:卷带(TR) 描述:CAP CER 8.2PF 250V NP0 0805 电容器 陶瓷电容器

Murata Electronics

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封装/外壳:0805(2012 公制) 包装:卷带(TR) 描述:CAP CER 8.2PF 250V NP0 0805 电容器 陶瓷电容器

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AirfastRFPowerGaNTransistor

This24dBmRFpowerGaNtransistorisdesignedforcellularbasestation applicationscoveringthefrequencyrangeof2496to2690MHz. Features •Highterminalimpedancesforoptimalbroadbandperformance •Designedforlowcomplexitylinearizationsystems •Universalbroadbanddriver •

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFET

Features Advancedhighperformancein--packageDoherty Greaternegativegate--sourcevoltagerangeforimprovedClassC operation Designedfordigitalpredistortionerrorcorrectionsystems

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恩智浦恩智浦半导体公司

nxp

RFPowerGaNTransistor

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更新时间:2024-6-16 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
muRata(村田)
23+
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村田全系列可订货,免费送样,账期支持!
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
MURATA/村田
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0805
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只做原装现货/实单可谈/支持含税拆样
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21+
0805
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0805
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一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品

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