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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: The ADM80N03Z uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with l

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爱德微

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Fast Switching Characteristic

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A-POWER

富鼎先进电子

Fast Switching Characteristic

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A-POWER

富鼎先进电子

更新时间:2025-10-18 22:30:01
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