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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Super-247Package. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •Rugged

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Features •NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Super-247Package. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorContr

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Features •NonPunchThroughIGBTTechnology. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Super-247Package. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransientPerformance. •LowEMI. •SignificantlyLess

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更新时间:2024-6-21 17:02:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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