超低功耗端侧物联网暨人工智能主芯片平台

基于自主开发的低功耗异构多核DSP芯片，采用先进CMOS工艺量产，支持多指令、硬件多线程、多矢量并行计算，拥有良好的一体化编程和调优环境，便于通过软件定义方式快速实现客户定制化需求，面向智能物联网（AIoT）、嵌入式人工智能（Embedded AI）和软件无线电（LPSDR）等应用领域的芯片级特色平台。

Low voltage dual-band RF front-end

DESCRIPTION The SA3600 is an integrated dual-band RF front-end that operates at both cellular (AMPS and TDMA) and PCS (TDMA) frequencies, and is designed in a 20 GHz fT BiCMOS process—QUBiC2. FEATURES • Low current consumption: LB ICC = 14.5 mA; HB ICC = 20.5 mA • Outstanding low- and high-ba

0.300-INCH SEVEN SEGMENT DISPLAYS

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Silicon planar type

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Silicon planar type

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