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Ultral Fast IGBT

DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=3.45V@IC=20A · High Current Capability · High Input Impedance APPLICATIONS · Synchronous Rectification in SMPS · Automotive Chargers · UPS,PFC · High Voltage Auxiliaries

ISC

无锡固电

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • UltraFast Non Punch Through (NPT) Technology • 10 µs Short Circuit capability • Square RBSOA • Positive VCE(on) Temperature Coefficient • Extended lead TO-247 package Benefits • Benchmark efficiency above 20KHz • Optimized for Welding, UPS, and Induction Heating applications •

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT TECOVERY DIODE

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更新时间:2026-1-2 11:12:01
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    类别 传感器,变送器 光学传感器 - 测距 制造商 SHARP/Socle Technology 系列 - 包装 托盘 零件状态 有源 感应距离 4 ~ 50cm 输出类型 模拟 电压 - 供电 2.7V ~ 3.3V 不同距离时电压 - 输出差异(典型值) 1.65V @ 4 ~ 50cm 不同距离时电压 - 输出(典型值) 550mV @ 50cm 工作

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