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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G200N10K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters | GOFORD 谷峰半导体 |   | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Polar HiPerFET Power MOSFET 文件：119.44 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
Power MOSFET 文件：208.05 Kbytes Page：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
Polar HiPerFET Power MOSFET 文件：91.89 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
116 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
|||
IXYS |
22+ |
TO-247 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
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IXYS |
08+ |
TO-247 |
110 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
IXYS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
IXYS/Littelfuse |
2111 |
TO-247 |
15800 |
全新原装正品现货直销 |
|||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
116 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
24+ |
N/A |
51000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
GP200N10SL规格书下载地址
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类别 传感器，变送器 光学传感器 - 测距 制造商 SHARP/Socle Technology 系列 - 包装 托盘 零件状态 有源 感应距离 4 ~ 50cm 输出类型 模拟 电压 - 供电 2.7V ~ 3.3V 不同距离时电压 - 输出差异（典型值） 1.65V @ 4 ~ 50cm 不同距离时电压 - 输出（典型值） 550mV @ 50cm 工作
2021-1-26
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