LNA产品系列

GM2102是一款GaAs pHEMT低噪声放大器，具有噪声低、线性高等优点，在200~900MHz可提供0.7dB的噪声系数，内部集成使能功能，可用于电台通信、LTE通信、自组网通信、低轨卫星通信等领域。 • 工作频率： 200~900MHz\n• 工作电压： 3.3V\n• 芯片尺寸： 3mm*3mm*1mm \n;

CONSTANT CURRENT DC/DC WHITE LED DRIVER

文件：194.29 Kbytes Page：6 Pages

Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns

Description: The NTE2101 is a high–speed 1024 x 1 bit static random access read/write memory in a 16–Lead DIP type package designed using N–Channel depletion mode silicon gate technology. Static storage cells eliminate the need for clock or refresh circuitry. Low threshold silicon gate N–Cha

SYSTEM RESET IC

文件：314.14 Kbytes Page：11 Pages

SYSTEM RESET IC

文件：314.14 Kbytes Page：11 Pages

SYSTEM RESET IC

文件：314.14 Kbytes Page：11 Pages

SYSTEM RESET IC

文件：314.14 Kbytes Page：11 Pages