-36V、600mA 超低噪声线性稳压电源

GM1302 可在 170mV 典型的压差电压下可提供 600mA 电流。正常工作静态电流标称值为 1.8mA，停机模式下降至 3µA。该器件能够在输出电压范围宽（-1.2V 至 VIN - VDO）内保持单位增益工作，可提供几乎恒定的输出噪声、PSRR、带宽和负载调整率，且这些性能与编程输出电压无关。其他特性包括双极性使能引脚、可编程电流限制、快速启动能力以及用于指示输出电压调节的可编程电源良好指示功能。该稳压器还集成了跟踪功能，可控制上游电源，以保持 GM1302 两端的电压恒定，从而最小化功耗并优化 PSRR。\nGM1302 能够在采用 10µF(最小值)陶瓷输出电容的情况下实现稳定。 • 超低 RMS 噪声：8.8µVRMS (10Hz 至 100kHz）\n• 超高 PSRR：83dB(在 10kHz)\n• 宽输入电压范围：-1.8V 至 -36V\n• 100µA SET 引脚电流：±1% 初始精度\n• 可编程电流限值\n• 输出电压范围：-1.2V 至 VIN - VDO\n• 快速启动能力\n• 最小输出电容：10µF(陶瓷)\n• 3mmx3mm DFN 封装和兼容 12 引脚 MSOP 的 DFN 封装;

RTC实时时钟芯片

SPI 3线串行接口，带31字节RAM，涓流充电实时时钟芯片 • 可对秒，分，时，日，周，月以及带闰年补偿的年进行计数\n• 用于时钟或 RAM 数据读/写的单字节或多字节数据传送方式\n• 简单的3线接口与单片机通信\n• TTL兼容(Vcc=5V)\n• 用于高速数据暂存的31字节非易失性 RAM宽工作电压范围:2.0~5.5V\n• 低休眠电流:典型值为0.3uA(VDD=2.5V，TA=25 ℃ )\n• 可选备用电源充电功能\n• 内部集成振荡电容\n• 封装形式:SOP8\n• 工业温度范围-40℃至+85℃;

PA产品系列

GM1302型GaN内匹配单级功率放大器芯片，具有超宽带、高线性、高效率、增益平坦等特点。该芯片在漏极电压32V下可在30~2500MHz内提供10W的输出功率。该芯片主要用于综合终端射频前端、手持电台射频前端等领域。 • 工作频率：30~2500MHz \n• 功率增益：13dB\n• 芯片尺寸：6mm×6mm×2.2mm ;

15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 200 VOLTS 200 WATTS

15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 200 VOLTS 200 WATTS MJL1302A -->PNP MJL3281A -->NPN • The MJL3281A and MJL1302A are PowerBase power transistors for high power audio, disk head positioners and other linear applications. • Designed for 100 W Audio Frequency • Gai

15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 200 VOLTS 200 WATTS

15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 200 VOLTS 200 WATTS MJL1302A -->PNP MJL3281A -->NPN • The MJL3281A and MJL1302A are PowerBase power transistors for high power audio, disk head positioners and other linear applications. • Designed for 100 W Audio Frequency • Gai

TMOS POWER FET 42 AMPERES 30 VOLTS RDS(on) = 22 mohm

This advanced high cell density HDTMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. This new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplie

15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 200 VOLTS 250 WATTS

Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistor The MJ3281A and MJ1302A are PowerBase power transistors for high power audio, disk head positioners and other linear applications. • Designed for 100 W Audio Frequency • Gain Complementary: — Gain Linearity from 100 mA to 7 A — Hi

MEDIUM POWER AMPLIFIER GaAs MMIC

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