型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

1.5Watt-20Volts,ClassCMicrowave2300MHz

GENERALDESCRIPTION The2301isaCOMMONBASEtransistorcapableofproviding1.5WattsClassC,RFoutputpowerat2300MHz.Goldmetalizationanddiffusedballastingareusedtoprovidehighreliabilityandsupremeruggedness.ThetransistorusesafullyhermeticHighTemperatureSolderSealed

GHZTECHGHz Technology

GHz Technology

GHZTECH

SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS

文件:5.03147 Mbytes Page:5 Pages

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ

-2.8A竊?20VP-CHANNELMOSFET

文件:111.41 Kbytes Page:4 Pages

KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

KIA

10VP-ChannelEnhancedMOSFET

文件:171.02 Kbytes Page:3 Pages

FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD.

富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司

FUMAN

9VPchannelenhancedMOSFET

文件:194.72 Kbytes Page:3 Pages

FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD.

富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司

FUMAN

GF2301产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GF2301

  • 功能描述

    MOSFET USE 781-SI2301ADS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-5 17:54:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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全新原装 鄙视假货15118075546
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