| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   | |
100VN-ChannelNexFET??PowerMOSFETs 文件：838.5 Kbytes Page：7 Pages | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 |  | | |
100VN-ChannelNexFEPowerMOSFETs 文件：838.5 Kbytes Page：7 Pages | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | | | |
SURFACEMOUNTDRUMCOREINDUCTOR 文件：16.12 Kbytes Page：1 Pages | RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc. |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/有单必成-实单来谈 |
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TO-220 |
5000 |
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
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只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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TI |
三年内 |
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只做原装正品 |
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TI/德州仪器 |
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TI |
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2021-4-14
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