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GC120N65QF

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheGC120N65QFusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

GOFORD

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive ·ACandDCMotorDrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-6-29 23:00:00
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