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GC040N65QF

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheGC040N65QFusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

GOFORD

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications •SwitchingPowerSupplies Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.033Ω(typ.) (2)High-speedswitchingpropertieswithlowercapacitance. (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=2.85mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-7-16 17:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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