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G50N03A

MOS(场效应管)

GOFORD

谷峰半导体

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Package with low thermal resistance • 100 Rg and UIS tested

VBSEMI

微碧半导体

30V, 50A N-CHANNEL,FAST SWITCHING MOSFET

DESCRIPTION FEATURE The AM50N03 is available in PDFN8(3.3x3.3) FEATURE  Super Low Gate Charge  Excellent CdV/dt Effect Decline  Advanced High Cell Density Trench Technology APPLICATION  High frequency switching mode power supply

AITSEMI

创瑞科技

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:959.96 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

50 Amps, 30 Volts N-CHANNEL MOSFET

文件:61.49 Kbytes Page:3 Pages

KIA

可易亚半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.01805 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-11-4 22:58:00
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