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G3R40MT12D

Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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GENESIC

G3R40MT12D

SiC MOSFET

Navitas

纳微半导体

SiC N-Channel MOSFET

FEATURES · Drain Current -ID= 40A@ TC=100℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 1200V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =52mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · High Voltage DC-DC Converters · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Switched Mode Power Supplies

ISC

无锡固电

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更新时间:2026-1-1 15:32:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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